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我国的光刻机发展到什么地步了？
谢邀！公开资料显示，一是目前我国光刻机已从90nm向28nm进军，未来可期。二是隐性的不得而知。三是颠覆性光芯片发展赛道成绩显著，有可能建成自己的光芯片生态环境。
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你可能想象不到，我国竟然研制出了9nm工艺制程的光刻机，要知道现在最受大家关注的是90nm上海微电子的光刻机，而如今出现了9nm光刻机，着实令我们感觉到有些惊喜。
2019年4月15日，武汉光电国家研究中心甘棕松团队，通过使用了二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，在使用了远场光学的办法，光刻出最小9nm线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。
你可能觉得不可思议，事实上，这件事的可行性和可信性确实让人感觉到有些惊讶，但事实确实如此，虽然光刻机并没有完全的付诸于实施，可是你得知道的是，光刻机未来一定会被打破。
虽然，ASML目前已经可以生气7nm EUV光刻技术，相比之下，国内目前最好的上海微电子最好为90nm的光刻技术，这种差异确实有点偏大，但是，你得知道的是这种差异的变化，正是说明了我们急需对于光刻技术的需求。
如果光刻机不能够实行质的飞跃，势必给未来的光刻技术带来一种新的挑战，在《瓦森纳协议》的压力下，国产光刻机确实会让光刻机充满了压力，而武汉方面的突破，必然会给光刻机的未来增加无限可能。
我国可以量产的是90nm制程工艺的光刻机，全球最先进的是荷兰ASML的7nm EUV光刻机，可以说我国的光刻机技术与世界先进水平还有很大的差距。但是，还有一个问题，即便有钱，也很难买到最先进的7nm EUV光刻机，下文具体说一说。
资料显示，我国生产光刻机的厂商是上海微电子（SMEE），成立于2002年，目前所生产的光刻机，主要用于90nm及其以下芯片制造工艺，几乎垄断了全球低端光刻机市场，占到了全球80%以上的市场份额，但是在高端光刻机领域为零。
上海微电子与荷兰ASML在光刻机领域的差距，反映了我国在精密制造领域的差距，一台全球顶级的光刻机的关键零部件来自西方不同的发达国家，美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承、法多的阀件等等，更麻烦的是，这些零部件对我国是禁运的。
因此，上海微电子只能先做好中低端光刻机，毕竟80%以上的芯片并不要高端光刻机，做好了中低端，生存下去，然后慢慢培养国内零部件厂商，向高端光刻机领域发展。
最先进的EUV光刻机全球只有荷兰的ASML能够生产，售价超过了1.5亿美元。我国的中芯国际早在2017年就预定了一台7nm EUV工艺的光刻机，预计2019年年初交货，但是到了2020年，仍然未交货。
第一次延期：2018年12月，ASML的主要元器件供应商Prodrive工厂发生火灾，中芯国际预定的光刻机延期。
第二次延期：出售EUV光刻机需要荷兰***发放许可证，在美国的种种施压下，先是对这台光刻机进行审计，只要美国制造的零件占到25%的价值，就需要美国出口许可证；再是以“国家安全”为由，拿出了《瓦森纳协议》，企图封杀这笔订单。
首先，我国很早就开始了光刻机的研制，在上世纪70年代，清华大学与中科院合作进行光刻机的研发，在1985年就研制成功了一台g线分步投影光刻机，这比国外同类产品仅仅晚了6年。2002年我国成立了上海微电子装备有限公司(SMEE)，其研发团队主要来自中科院45所，目前为止，这也是我国仅有的一家光刻机研发单位。从今年发展来看，SMEE虽取得了很大成绩，但整体技术水平还是落后于西方发达国家。
光刻机的研制技术难点主要是解决精密度问题，光刻的原理就像在米粒大小的面积上，雕刻纳米级大小的文字，其难度可想而知，所以这需要持续的研发和技术攻关。此外，我国光刻机的研发还面临资金和人才的调整。研发光刻机这种高精尖设备投入大、投资回报时间长，民营企业出于发展目的，很少会主动投入光刻机的研发，所以这需要国家进行投资和组织，从国外发展来看，英特尔、台积电、三星为推进光刻机的研发，都是持续投入巨资，比如三星以38亿欧元购买ASML23%的股份支持其EUV光刻机的研发，可以说是不计成本，也由此奠定了他们在光刻机领域的地位。
与国外相比，我国缺少光刻机相关配套产业，而且由于西方国家的技术封锁，几乎不可能从国外获得技术支持，所以，我国光刻机的发展只能来源于自主研发，而光刻机研发人员的培养难度较大、培养周期长、人才流失严重，这些都大大制约了我国光刻机的发展。
其实总体来看，发展光刻机取决于国家的决心，过去，我们可以很容易买到国外芯片，而且自主研发投入大、风险高，这造成了我们国家很多人产生了“造不如买”的观点，但随着中美贸易战的加剧，美国开始对中国进行技术防范，比如“中芯***”，对华为的各种制裁，这些***终于使国内企业醒悟过来，不发展光刻机，中国永远把自身的命脉放在别人手里，国家工业将永远徘徊低端产业，所以，发展光刻机已经刻不容缓。
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